উচ্চ নির্ভুলতা সম্পন্ন C75200 ০.৫মিমি*৩০মিমি জিঙ্ক কপার অ্যালয় ব্রাইট স্ট্রিপ
রাসায়নিক গঠন:
| সংকর ধাতু নং | রাসায়নিক গঠন | |||
| Cu | Mn | Ni | Zn | |
| সি৭৫২০০ | ৬৩.০-৬৬.৫ | ০-০.৫ | ১৬.৫-১৯.৫ | অবশিষ্টাংশ |
| সি৭৫৪১ | ৬০.০-৬৪ | ০-০.৫ | ১২.৫-১৫.৫ | অবশিষ্টাংশ |
| সি৭৭০০০ | ৫৩.৫-৫৬.৫ | ০-০.৫ | ১৬.৫-১৯.৫ | অবশিষ্টাংশ |
বৈশিষ্ট্য
| সংকর ধাতু নং | গুণমান গ্রেড | বৈশিষ্ট্য | |||
| টান | প্রসারণ | কঠোরতা পরীক্ষা | |||
| শক্তি | |||||
| (কেজিএফ/মিমি²) | জেআইএস | সাংহাইমেটাল | |||
| মানদণ্ড | |||||
| সি৭৫২০০ | O | ≥ ৩৮ | ≥ ২০ | - | ≥ ১১০ |
| ১/৪ ঘন্টা | ৩৮~৪৬ | ≥ ১০ | - | ১১০~১৪০ | |
| ১/২ ঘন্টা | ৪৪~৫২ | ≥ ৫ | ১২০~১৮০ | ১৩০~১৬০ | |
| ৩/৪ ঘন্টা | - | - | - | - | |
| H | ৫২~৬০ | ≥ ৩ | ১৫০ | ১৫০~১৮০ | |
| EH | ≥ ৫৮ | - | - | ≥ ১৮০ | |
| SH | - | - | - | - | |
| সি৭৫৪১ | O | ≥ ৩৬ | ≥ ২০ | - | ≥ ১১০ |
| ১/৪ ঘন্টা | - | - | - | - | |
| ১/২ ঘন্টা | ৪২~৫৫ | ≥ ৫ | ১১০~১৭০ | ১১০~১৫০ | |
| ৩/৪ ঘন্টা | - | - | - | - | |
| H | ≥ ৫০ | ≥ ৩ | ১৩৫ | ≥১৩৫ | |
| EH | - | - | - | - | |
| SH | - | - | - | - | |
| সি৭৭০০ | O | - | - | - | - |
| ১/৪ ঘন্টা | - | - | - | - | |
| ১/২ ঘন্টা | ৫৫~৬৭ | ≥ ৮ | ১৫০~২১০ | ১৪০~২০০ | |
| ৩/৪ ঘন্টা | - | - | - | - | |
| H | ৬৪~৭৫ | ≥ ৪ | ১৮০~২৪০ | ১৭৫~২২০ | |
| EH | ৭২~৮২ | - | ২১০~২৬০ | ১৯৫~২৪০ | |
| SH | ৭৮~৮৮ | - | ২৩০~২৭০ | ২১০~২৫০ | |
| নাম | অবস্থা | প্রসার্য শক্তি | প্রসারণ | স্ট্যানটার্ড |
| সি৭৫৪০০ | নরম কঠিন | ≥৩৪০ মেগাপ্যাসকেল ≥৬৪০ মেগাপ্যাসকেল | ≥৩৫% ≥১% | জিবি/টি২০৫৯-২০০০ |
| সি৭৫২০০ | নরম কঠিন | ≥৩৭৫ মেগাপ্যাসকেল ≥৫৪০ মেগাপ্যাসকেল | ≥২০% ≥৩% | Q/HUAJ 26-2003 |
| সি৭৭০০০ | নরম কঠিন | ≥৪০০ মেগাপ্যাসকেল ≥৭০৫-৮০৫ মেগাপ্যাসকেল | ≥৪০% ≥৪% | Q/HUAJ 10-97 |
নিকেল সিলভার স্ট্রিপ/কপার নিকেল জিঙ্ক স্ট্রিপের প্রয়োগক্ষেত্র:
১) যোগাযোগ ইলেকট্রনিক্সের জন্য শিল্ডিং উপাদান
২) অ্যান্টেনার উপাদান
৩) ইএমআই-প্রতিরোধী উপাদান
৪) স্প্রিং সংযোগ
৫) নমনীয় টার্মিনাল
৬) পরিবেশ-বান্ধব প্রলেপহীন ইলেকট্রনিক যন্ত্রাংশ এবং উপাদান
৭) কোয়ার্টজ অসিলেটর
৮) উচ্চ-স্তরের উপাদান
৯) বৈদ্যুতিক উপাদান
১৫০ ০০০০ ২৪২১