হ্যাস্টেলয়C4এটি নিকেল, ক্রোমিয়াম এবং মলিবডেনাম দ্বারা গঠিত একটি সংকর ধাতু। ক্ষয় প্রতিরোধের জন্য এটিকে সবচেয়ে বহুমুখী সংকর ধাতু হিসেবে গণ্য করা হয়। ঝালাইয়ের তাপে এই সংকর ধাতুটির গ্রেইন বাউন্ডারি প্রেসিপিটেট তৈরি হয় না, ফলে ঝালাই করা অবস্থায় এটি বিভিন্ন রাসায়নিক প্রক্রিয়ায় ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত। এছাড়াও, এই সংকর ধাতুC4এটি পিটিং, স্ট্রেস-করোশন ক্র্যাকিং এবং ১৯০০° ফারেনহাইট পর্যন্ত জারক পরিবেশের বিরুদ্ধে অসামান্য প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদর্শন করে। এটি বিস্তৃত রাসায়নিক পরিবেশের বিরুদ্ধেও ব্যতিক্রমী প্রতিরোধ ক্ষমতা রাখে।
আবেদনপত্র:
১. কাগজ শিল্প: ডাইজেস্টার ও ব্লিচ প্ল্যান্ট।
২. টক গ্যাস পরিবেশ: টক গ্যাসের সংস্পর্শে আসা উপাদানসমূহ।
৩. ফ্লু-গ্যাস ডিসালফারাইজেশন প্ল্যান্ট: ফ্লু-গ্যাস ডিসালফারাইজেশন প্ল্যান্টে ব্যবহৃত সরঞ্জাম।
৪. সালফিউরিক অ্যাসিড পরিবেশ: সালফিউরিক অ্যাসিড পরিবেশে ব্যবহৃত ইভাপোরেটর, হিট এক্সচেঞ্জার, ফিল্টার এবং মিক্সার।
৫. সালফিউরিক অ্যাসিড রিঅ্যাক্টর: সালফিউরিক অ্যাসিড রিঅ্যাক্টরে ব্যবহৃত সরঞ্জাম।
৬. জৈব ক্লোরাইড প্রক্রিয়া: জৈব ক্লোরাইড প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত সরঞ্জাম।
৭. হ্যালাইড বা অ্যাসিড অনুঘটক প্রক্রিয়া: যেসব প্রক্রিয়ায় হ্যালাইড বা অ্যাসিড অনুঘটক ব্যবহার করা হয়, সেসব প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত সরঞ্জাম।
| গ্রেড | সি২৭৬ | সি২২ | C4 | B3 | N | ||
| রাসায়নিক গঠন (%) | C | ≤০.০১ | ≤০.০১৫ | ≤০.০১৫ | ≤০.০২ | ≤০.০১ | ০.০৪-০.০৮ |
| Mn | ≤১ | ≤০.৫ | ≤১ | ≤১ | ≤৩ | ≤১ | |
| Fe | ৪-৭ | ২-৬ | ≤৩ | ≤২ | ≤১.৫ | ≤৫ | |
| P | ≤০.০৪ | ≤০.০২ | ≤০.০৪ | ≤০.০৪ | – | ≤০.০১৫ | |
| S | ≤০.০৩ | ≤০.০২ | ≤০.০৩ | ≤০.০৩ | – | ≤০.০২ | |
| Si | ≤০.০৮ | ≤০.০৮ | ≤০.০৮ | ≤০.১ | ≤০.১ | ≤১ | |
| Ni | বিশ্রাম | বিশ্রাম | বিশ্রাম | বিশ্রাম | ≥৬৫ | বিশ্রাম | |
| Co | ≤২.৫ | ≤২.৫ | ≤২ | ≤১ | ≤৩ | ≤০.২ | |
| Ti+Cu | – | – | ≤০.৭ | – | ≤০.৪ | ≤০.৩৫ | |
| Al+Ti | – | – | – | – | ≤০.৫ | ≤০.৫ | |
| Cr | ১৪.৫-১৬.৫ | ২০-২২.৫ | ১৪-১৮ | ≤১ | ≤১.৫ | ৬-৮ | |
| Mo | ১৫-১৭ | ১২.৫-১৪.৫ | ১৪-১৭ | ২৬-৩০ | ≤২৮.৫ | ১৫-১৮ | |
| B | – | – | – | – | – | ≤০.০১ | |
| W | ৩-৪.৫ | ২.৫-৩.৫ | – | – | ≤৩ | ≤০.৫ | |
| V | ≤০.৩৫ | ≤০.৩৫ | – | ০.২-০.৪ | – | ≤০.৫ | |
১৫০ ০০০০ ২৪২১