হুওনাNi200/Ni201ভ্যাকুয়াম ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য অভিন্ন রোধের বিশুদ্ধ নিকেল মাইক্রো ওয়্যার
এর ভালো যান্ত্রিক শক্তি, ক্ষয়-প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং তাপ-প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে।
এটি রেডিও, বৈদ্যুতিক আলোর উৎস, যন্ত্রপাতি উৎপাদন, রাসায়নিক শিল্পের জন্য উপযুক্ত এবং ভ্যাকুয়াম ইলেকট্রনিক ডিভাইসে এটি একটি গুরুত্বপূর্ণ কাঠামোগত উপাদান।
এটি বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি, রাসায়নিক যন্ত্রপাতি, ভালো প্রক্রিয়াকরণ সরঞ্জাম, রিচার্জেবল ব্যাটারি, কম্পিউটার, সেলুলার ফোন, পাওয়ার টুলস, ক্যামকর্ডার ইত্যাদিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
রাসায়নিক গঠন
| গ্রেড | উপাদানের গঠন/% | |||||||
| Ni+Co | Mn | Cu | Fe | C | Si | Cr | S | |
| Ni201 | ≥৯৯.০ | ≤০.৩৫ | ≤০.২৫ | ≤০.৩০ | ≤০.০২ | ≤০.৩ | ≤০.২ | ≤০.০১ |
| Ni200 | ≥৯৯.০ | /≤০.৩৫ | ≤০.২৫ | ≤০.৩০ | ≤০.১৫ | ≤০.৩ | ≤০.২ | ≤০.০১ |
প্রোপার্টিস
| ঘনত্ব | গলনাঙ্ক | প্রসারণ সহগ | দৃঢ়তা মডুলাস | স্থিতিস্থাপকতার মডুলাস | বৈদ্যুতিক রোধ | |
| Ni200 | ৮.৯ গ্রাম/সেমি³ | ১৪৪৬°সে | ১৩.৩ µm/m °C (২০-১০০°C) | ৮১ কিলোনিউটন/মিমি² | ২০৪ কিলোনিউটন/মিমি² | ৯.৬μW• সেমি |
| Ni201 | ১৪৪৬°সে | ১৩.১µm/m °C (২০-১০০°C) | ৮২ কিলোনিউটন/মিমি² | ২০৭ কিলোনিউটন/মিমি² | ৮.৫μW• সেমি |
| ব্যাস (মিমি) | সহনশীলতা (মিমি) | ব্যাস (মিমি) | সহনশীলতা (মিমি) |
| ০.০৩-০.০৫ | ±০.০০৫ | ০.৫০-১.০০ | ±০.০২ |
| ০.০৫-০.১০ | ±০.০০৬ | ১.০০-৩.০০ | ±০.০৩ |
| ০.১০-০.২০ | ±০.০০৮ | ৩.০০-৬.০০ | ±০.০৪ |
| ০.২০-০.৩০ | ±০.০১০ | ৬.০০-৮.০০ | ±০.০৫ |
| ০.৩০-০.৫০ | ±০.০১৫ | ৮.০০-১২.০ | ±০.৪ |
কোল্ড-ড্রয়িং স্ট্রিপ টাইপের স্পেসিফিকেশন
| পুরুত্ব (মিমি) | সহনশীলতা (মিমি) | প্রস্থ (মিমি) | সহনশীলতা (মিমি) |
| ০.০৫-০.১০ | ±০.০১০ | ৫.০০-১০.০ | ±০.২ |
| ০.১০-০.২০ | ±০.০১৫ | ১০.০-২০.০ | ±০.২ |
| ০.২০-০.৫০ | ±০.০২০ | ২০.০-৩০.০ | ±০.২ |
| ০.৫০-১.০০ | ±০.০৩০ | ৩০.০-৫০.০ | ±০.৩ |
| ১.০০-১.৮০ | ±০.০৪০ | ৫০.০-৯০.০ | ±০.৩ |
| ১.৮০-২.৫০ | ±০.০৫০ | ৯০.০-১২০.০ | ±০.৫ |
| ২.৫০-৩.৫০ | ±০.০৬০ | >১২০.০-২৫০.০ | ±০.৬ |
১৫০ ০০০০ ২৪২১